PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統(tǒng)
PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統(tǒng)，原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個可控的多場環(huán)境（包括力、熱、光、電等），價(jià)格請咨詢18817557412(微信同號)
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PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統(tǒng)，原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個可控的多場環(huán)境（包括力、熱、光、電等），價(jià)格請咨詢18817557412(微信同號)
PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統(tǒng)，該產(chǎn)品是原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個可控的多場環(huán)境（包括力、熱、光、電等），從而對材料或者器件等樣品實(shí)現(xiàn)多重激勵下的原位表征。
性能指標(biāo)
透射電鏡指標(biāo)：
● 兼容指定電鏡型號及極靴；
● 可選雙傾版本，雙傾電學(xué)測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時(shí)受限于極靴間距）；
電學(xué)測量指標(biāo)：
● 包含一個電流電壓測試單元；
● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；
● 電流分辨率：優(yōu)于100 fA；
● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；
● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時(shí)間（I-t）測量，自動保存。
掃描探針操縱指標(biāo)：
● 粗調(diào)范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；
● 細(xì)調(diào)范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；
● 細(xì)調(diào)分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。
光纖指標(biāo)：
● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統(tǒng)真空指標(biāo)；
● 可選光纖探針、平頭光纖；
● 配備快速SMA接頭、FC接頭；
加熱指標(biāo)：
● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；
● 溫度準(zhǔn)確度優(yōu)于 5% ；
● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃。
應(yīng)用場景
可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加至多四種激勵，實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜的測試功能，完成以往無法實(shí)現(xiàn)的研究。
（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學(xué)STM探針）；
（2）熱電子發(fā)射/場發(fā)射（加熱芯片+電學(xué)STM探針）；
（3）三端器件測量（電學(xué)芯片+電學(xué)STM探針）；
（4）電致發(fā)光現(xiàn)象研究（電學(xué)芯片+光學(xué)STM探針）；
（5）光電現(xiàn)象研究（電學(xué)芯片+光學(xué)STM探針）。
產(chǎn)品特色
穩(wěn)定性高
輕松獲得大幅度運(yùn)動中的高分辨像，適用于更廣泛的應(yīng)用場景和樣品體系。
很長的壽命
專利技術(shù)（專利種類：實(shí)用新型（具備高分辨多維操縱和電學(xué)測量的電子顯微鏡原位樣品桿） 專利號：202020944865 .4）的“爪-球”結(jié)構(gòu)探針桿因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，是公認(rèn)皮實(shí)耐用的探針桿。
很低維護(hù)成本
設(shè)備配套的針尖制備系統(tǒng)可低成本制備針尖耗材。”爪-球“微動結(jié)構(gòu)已實(shí)現(xiàn)模塊化量產(chǎn)，維護(hù)成本低。
很大的用戶群
在國內(nèi)擁有近200個高質(zhì)量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產(chǎn)出大量高質(zhì)量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學(xué)術(shù)平臺供用戶交流。
成熟的技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)
在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司，其他各地?fù)碛腥舾杉夹g(shù)支持網(wǎng)點(diǎn)，24小時(shí)提供技術(shù)支持。
